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晶旭半導體:以專以精“弄潮”創新之海

時間:2025-01-13 10:44:40 作者:147小編 點擊:

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滾滾汀江,奔流過福建省龍巖市上杭縣。在這個紅色圣地、客家古邑、生態福地,是新興產業的創業熱土上,有一家青年的企業——福建晶旭半導體正勇立于科技創新的潮頭,乘風破浪、嶄露頭角。

創新擎帆——篤信專精的力量

半導體市場制品系列繁雜繁多,晶旭半導體選取在一個賽道上做專、做深、做精。專業化的發展道路,讓晶旭半導體得以生產出技術更先進、工藝更精細、性能更優異的制品,作為細分行業中的佼佼者,在國際上率先量產了質量優越的氧化鎵基表/體聲波射頻濾波器芯片制品。

晶旭半導體專注于光電半導體行業中上游制品(集成芯片、倒裝發光芯片及光電集成模組OEIC),雖然這都是半導體產業中的“小分支”,但卻非常重要,應用廣泛。其生產的高密度正裝、倒裝集成芯片(COB)、光電集成芯片(OEIC)與非視覺芯片模組,重點應用于智能家居(IOT)、健康光照(人因照明)、生物光照、車用發光芯片模組、非視覺紫外芯片殺菌滅菌應用等行業。其自主開發的高質量ε-Ga2O3聲波濾波器芯片(RF濾波芯片),廣泛應用于5G通信、航天航空、新能源汽車、高端裝備、軌道交通、雷達等行業,ε-Ga2O3外延片則廣泛應用于光電器件傳感器芯片、功率電力電子器件的制備。

2020年,晶旭半導體落地上杭金銅新材料循環園區,不到3年時間,晶旭半導體已建成全世界首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線,解決了半導體芯片制程中重要‘卡脖子’關鍵核心技術,形成從核心裝備自主開發,外延芯片自主設計制造,器件封測一體化的全產業鏈布局。晶旭半導體是日前國際上首家具備氧化鎵基BAW濾波器芯片自主量產交付能力的企業,持有多項光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料等核心專利,尤其在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上,處在國際領先地位。2023年,晶旭半導體實現了產銷量增長40%以上,產值突破5000萬元,二期項目如期動工。

實干揮槳——凝聚并肩的力量

晶旭半導體保持以“人才+技術”的道路,積極自主創新,培養人才團隊。晶旭半導體董事長王孟源在半導體產業從業20余年,長時間從事第三代半導體氮化鎵和超寬禁帶半導體材料、外延及芯片、封裝工藝的科研。他開展了ZnO透明導電膜芯片技術、氧化鎵寬禁帶壓電薄膜外延生長技術、LED Thin-GaN 垂直結構芯片制造技術、高顯色指數集成光源模組技術等多項關鍵共性技術的研發和國際合作,并取得了突破性成就,其做為第1發明人申請專利超過100項,是國際首例ZnO芯片、高顯色指數COB技術的發明人之一。

在王孟源帶領下,晶旭半導體的技術團隊從試制、試產到量產的過程中發揮領頭羊的功效。班組深入到工作現場進行人員關聯專業技能培訓與實操演練,以身作則,傳播愛崗敬業、爭先創優的職業認識,為制造系統培養出了一批批刻苦鉆研、潛心實踐的青年人才。

一支職業化程度高的團隊,帶出一批批優秀的實干創新員工,取得了一筆筆亮眼的“成績單”。晶旭半導體先后經過

GB/T19001-2016/ISO9001:2015質量管理體系認證,制品得到CE(EN62471)光生物安全認證和美國能源部(DOE)IES LM-80權威認證以及歐盟ROHS認證;2021年參加第四屆“創響福建”中小企業創新創業大賽暨第六屆“創客中國”中小企業創新創業大賽福建省區域賽榮獲“一等獎”;第六屆“創客中國”中小企業創新創業大賽全國總決賽中榮獲“優勝獎”;第十屆中國創新創業大賽(福建賽區)暨第九屆福建創業大賽中榮獲“優勝獎”;機構核心技術團隊發明的氧化物MOCVD設備及高質量氧化鎵薄膜的異質外延生長技術,入選了2021年度中國科協科創中國百項“先導技術”榜;2022年11月參加“2022年全國顛覆性技術創新大賽”成都行業賽榮獲“優勝獎”。

使命掌舵——催生向前的力量

早在機構成立之初,晶旭半導體就把創新做為發展的安身點,保持以“專而精”的技術為本,推動企業核心產業穩健發展。2023年2月落幕的科技部第二屆全國顛覆性技術創新大賽總決賽上,晶旭半導體憑借《基于ε-Ga_2O_3壓電薄膜材料的聲波濾波器制備及產業化項目》榮獲大賽最高獎“優勝獎”,是福建省獨一得到最高獎的企業。每一次的創新,都是探索未知的勇氣。王孟源曾說:何為革新,是勇于登峰,銳意進取,領先科技,勵志報國,勵志成長,結伴同行,行穩致遠!正是這般保持技術創新與價值創新,推動產業進步蛻變的使命,推動晶旭半導體趁勢長驅、邁上新的征途。

當前,晶旭半導體已獲授權國內外專利近百件,ε-Ga_2O_3關鍵性能比國外同類制品提高超過20%,正在建設50條以上超寬禁帶半導體射頻芯片和外延片生產線。其制品聚焦5G/6G通訊、智能物聯及精確定位等應用行業,并在實現智能光電集成芯片(RGBCW COB)、車前燈集成芯片、非視覺超大功率UV集成模組等制品大規模進口替代的基本上,進一步向第四代超寬禁帶半導體氧化鎵材料及芯片產業升級發展。屆時,晶旭半導體將形成氧化鎵基聲波射頻濾波器芯片、射頻功率電子芯片等具備全世界競爭力的制品,產生20億元以上產值,作為世界領先的化合物半導體開發、制造與服務機構

2024年2月2日,晶旭半導體與深圳市睿悅投資控股集團有限機構與簽署戰略投資協議,后者將投資億元人民幣,助力晶旭半導體實現年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達產。勇立時代潮頭,秉承著“專而精”的理念,將其充分融入開發和生產的方方面面,晶旭半導體的使命與愿景,正在實現。

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